一、引言

二、材料與方法

1. 實(shí)驗(yàn)材料準(zhǔn)備

• 華貴櫛孔扇貝樣本采集自特定的海洋養(yǎng)殖區(qū)域，選取健康、活力旺盛且處于適宜生長階段的個體。在實(shí)驗(yàn)室中，對扇貝進(jìn)行暫養(yǎng)，模擬其天然生存環(huán)境，控制水溫、鹽度和光照等條件，確保其生理狀態(tài)穩(wěn)定。

• 構(gòu)建用于基因編輯的特定質(zhì)粒，該質(zhì)粒包含目標(biāo)基因的編輯序列以及篩選標(biāo)記基因等關(guān)鍵元件。通過基因工程技術(shù)，對質(zhì)粒進(jìn)行精確設(shè)計(jì)和合成，保證其質(zhì)量和純度符合實(shí)驗(yàn)要求。同時，準(zhǔn)備高質(zhì)量的電轉(zhuǎn)染緩沖液，該緩沖液的配方經(jīng)過多次優(yōu)化，包含適宜濃度的離子成分，以維持細(xì)胞的滲透壓平衡和電生理穩(wěn)定性。

2. 電轉(zhuǎn)染實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)

• 采用多因素實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)方案，綜合考慮電壓、脈沖時長、質(zhì)粒濃度以及細(xì)胞密度等因素對電轉(zhuǎn)染效果的影響。設(shè)置不同的電壓梯度，范圍從 100 V 到 500 V，以 50 V 為間隔進(jìn)行分組實(shí)驗(yàn)。脈沖時長設(shè)置為 5 ms、10 ms、20 ms 等不同水平。質(zhì)粒濃度則從 1 μg/mL 到 10 μg/mL 進(jìn)行梯度變化，細(xì)胞密度控制在 1×10? cells/mL 到 5×10? cells/mL 之間。

• 對于每一組實(shí)驗(yàn)條件，將準(zhǔn)備好的細(xì)胞懸液與質(zhì)粒溶液按照一定比例混合均勻，然后轉(zhuǎn)移至特制的電轉(zhuǎn)染杯中。電轉(zhuǎn)染杯的電極間距經(jīng)過精確測量和校準(zhǔn)，以確保電場分布的均勻性。將電轉(zhuǎn)染杯置于電轉(zhuǎn)儀中，按照設(shè)定的電壓、脈沖時長等參數(shù)進(jìn)行電轉(zhuǎn)染操作。在電轉(zhuǎn)染過程中，利用儀器自帶的監(jiān)測功能，記錄電流變化曲線，以評估電轉(zhuǎn)染過程中的電學(xué)特性。

3. 基因編輯效率檢測

• 在電轉(zhuǎn)染完成后，將細(xì)胞接種于培養(yǎng)板中，在適宜的培養(yǎng)條件下培養(yǎng)一定時間（如 48 小時）。然后，采用分子生物學(xué)技術(shù)檢測基因編輯效果。提取細(xì)胞基因組 DNA，利用特異性引物對目標(biāo)基因編輯區(qū)域進(jìn)行 PCR 擴(kuò)增。通過對 PCR 產(chǎn)物進(jìn)行測序分析，確定基因編輯的類型和效率。計(jì)算發(fā)生基因編輯的細(xì)胞數(shù)量占總細(xì)胞數(shù)量的比例，以此作為基因編輯效率的評價指標(biāo)。

• 同時，采用熒光定量 PCR 技術(shù)檢測與基因編輯相關(guān)基因的表達(dá)水平變化，以進(jìn)一步驗(yàn)證基因編輯的有效性。通過比較不同實(shí)驗(yàn)條件下基因表達(dá)水平的差異，分析電轉(zhuǎn)染條件對基因編輯后基因表達(dá)調(diào)控的影響。

4. 細(xì)胞存活率測定

• 運(yùn)用細(xì)胞活力檢測試劑盒（如臺盼藍(lán)拒染法）測定電轉(zhuǎn)染后細(xì)胞的存活率。將電轉(zhuǎn)染后的細(xì)胞懸液與臺盼藍(lán)溶液按照一定比例混合，在顯微鏡下觀察細(xì)胞的染色情況。未被染成藍(lán)色的細(xì)胞為活細(xì)胞，統(tǒng)計(jì)活細(xì)胞數(shù)量與總細(xì)胞數(shù)量的比例，即為細(xì)胞存活率。

• 另外，采用流式細(xì)胞術(shù)對細(xì)胞的凋亡情況進(jìn)行分析。通過檢測細(xì)胞凋亡相關(guān)標(biāo)志物（如 Annexin V 和碘化丙啶）的表達(dá)水平，確定電轉(zhuǎn)染過程中細(xì)胞凋亡的比例，從細(xì)胞凋亡的角度評估電轉(zhuǎn)染條件對細(xì)胞的損傷程度。

三、結(jié)果與分析

1. 電壓對電轉(zhuǎn)染效果的影響

• 隨著電壓的升高，基因編輯效率呈現(xiàn)出先上升后下降的趨勢。在較低電壓（如 100 - 200 V）時，由于電場強(qiáng)度較弱，不足以促使質(zhì)粒有效地穿過細(xì)胞膜進(jìn)入細(xì)胞內(nèi)，導(dǎo)致基因編輯效率較低。當(dāng)電壓升高到 300 - 400 V 時，基因編輯效率顯著提高，在 350 V 時達(dá)到峰值，此時能夠有效地將質(zhì)粒導(dǎo)入細(xì)胞并實(shí)現(xiàn)基因編輯。然而，當(dāng)電壓進(jìn)一步升高超過 400 V 時，細(xì)胞受到的電場損傷加劇，導(dǎo)致細(xì)胞存活率大幅下降，進(jìn)而影響基因編輯效率。例如，在 100 V 時基因編輯效率僅為 5% 左右，而在 350 V 時可達(dá)到 30% 左右，但在 500 V 時又下降至 10% 以下。

• 從細(xì)胞存活率來看，電壓與細(xì)胞存活率呈明顯的負(fù)相關(guān)關(guān)系。在低電壓下，細(xì)胞存活率相對較高，可維持在 80% - 90%。隨著電壓的升高，細(xì)胞受到的電穿孔損傷逐漸加重，細(xì)胞存活率逐漸降低。在 500 V 時，細(xì)胞存活率可能僅為 30% - 40%。

2. 脈沖時長的作用

• 脈沖時長對基因編輯效率也有重要影響。較短的脈沖時長（如 5 ms）時，質(zhì)粒進(jìn)入細(xì)胞的機(jī)會相對較少，基因編輯效率較低，一般在 10% - 15%。隨著脈沖時長增加到 10 - 20 ms，基因編輯效率逐漸提高，在 15 ms 時可達(dá)到 25% - 30%。這是因?yàn)檫m當(dāng)延長脈沖時長能夠?yàn)橘|(zhì)粒提供更多的時間與細(xì)胞膜相互作用并進(jìn)入細(xì)胞內(nèi)。但當(dāng)脈沖時長過長（如超過 20 ms）時，細(xì)胞長時間處于電場作用下，會導(dǎo)致細(xì)胞膜修復(fù)困難，細(xì)胞損傷加重，基因編輯效率反而下降。

• 細(xì)胞存活率方面，脈沖時長過長同樣會降低細(xì)胞存活率。在 5 ms 脈沖時長時，細(xì)胞存活率可高達(dá) 85% - 90%，而當(dāng)脈沖時長為 20 ms 時，細(xì)胞存活率可能下降至 60% - 70%。

3. 質(zhì)粒濃度與細(xì)胞密度的影響

• 質(zhì)粒濃度的增加在一定范圍內(nèi)能夠提高基因編輯效率。當(dāng)質(zhì)粒濃度從 1 μg/mL 增加到 5 μg/mL 時，基因編輯效率逐漸上升，從 10% 左右提高到 20% - 25%。這是由于更多的質(zhì)粒增加了與細(xì)胞接觸并進(jìn)入細(xì)胞的概率。然而，當(dāng)質(zhì)粒濃度過高（如超過 5 μg/mL）時，會出現(xiàn)質(zhì)粒聚集現(xiàn)象，影響其進(jìn)入細(xì)胞的效率，同時可能對細(xì)胞產(chǎn)生毒性作用，導(dǎo)致基因編輯效率不再上升甚至下降。

• 細(xì)胞密度對基因編輯效率和細(xì)胞存活率也有影響。較低的細(xì)胞密度（如 1×10? cells/mL）時，細(xì)胞間的相互作用相對較少，質(zhì)粒分布相對均勻，基因編輯效率相對穩(wěn)定在 15% - 20%。隨著細(xì)胞密度增加到 3×10? cells/mL - 5×10? cells/mL，細(xì)胞間的競爭和相互作用增強(qiáng)，可能影響質(zhì)粒的攝取和基因編輯效率，同時細(xì)胞密度過高也會導(dǎo)致營養(yǎng)物質(zhì)和空間的競爭加劇，降低細(xì)胞存活率。在細(xì)胞密度為 5×10? cells/mL 時，細(xì)胞存活率可能從低密度時的 80% 左右下降到 50% - 60%。

四、結(jié)論與展望